ସିଏନସି

ହିଟ୍ ସିଙ୍କ୍‌ର ମୂଳ ଧାତୁ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ଚୂଡ଼ାନ୍ତ ଗଠନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଭାବରେ, ପାଞ୍ଚ-ଅକ୍ଷ ବିଶିଷ୍ଟ CNC କେନ୍ଦ୍ର ମାଇକ୍ରୋ-ଚ୍ୟାନେଲ୍ କୋଲ୍ଡ ପ୍ଲେଟ୍, ଷ୍ଟିମ୍ ଚାମ୍ବର ୟୁନିଫର୍ମ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ଲେଟ୍ ଏବଂ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ଥିନ୍ ଫିନ୍ ଆରେ ଭଳି ରଣନୈତିକ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକୁ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କରିବାରେ ବିଶେଷଜ୍ଞ। μm-ସ୍ତରୀୟ ଉପକରଣ ପଥ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ମାଧ୍ୟମରେ, ଏହା ତ୍ରି-ପରିମାଣୀୟ ଟୋପୋଲୋଜିକାଲ୍ ଗଠନ ହାସଲ କରେ ଯାହା ପାରମ୍ପରିକ ପ୍ରକ୍ରିୟାଗୁଡ଼ିକ ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଆଲୁମିନିୟମ୍ / ଉଚ୍ଚ-ପରିବାହୀତା କପର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍‌ଗୁଡ଼ିକରେ ପହଞ୍ଚିପାରିବ ନାହିଁ, ତାପ ଅପଚୟ ଦକ୍ଷତା ପାଇଁ ଏକ ନୂତନ ମାନଦଣ୍ଡ ସ୍ଥାପନ କରେ।

● ±0.005mm ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ସଠିକତା ହାସଲ କରନ୍ତୁ, ନିଶ୍ଚିତ କରନ୍ତୁ ଯେ କୋଲ୍ଡ ପ୍ଲେଟ୍ ଏବଂ ଚିପ୍ ମଧ୍ୟରେ ସମ୍ପର୍କ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ 0.03℃·cm²/W ରୁ କମ୍।

● 50μm ମାଇକ୍ରୋଚ୍ୟାନେଲର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ କ୍ଷମତା ଏଚିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ତୁଳନାରେ ପ୍ରବାହ ପ୍ରତିରୋଧକୁ 40% ହ୍ରାସ କରେ।

● ବକ୍ର ବାୟୁ ବିସାରକ କ୍ଲଷ୍ଟରଗୁଡ଼ିକର ପାଞ୍ଚ-ଅକ୍ଷ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ଟର୍ବୁଲେନ୍ସ ଗୁଣାଙ୍କ 300% ବୃଦ୍ଧି ପାଇଛି।

● ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ-ବିଭାଗ ବାଷ୍ପ ଚାମ୍ବର ତ୍ରି-ପରିମାଣ ପ୍ରବାହ ଚ୍ୟାନେଲ ଗୋଟିଏ ଖଣ୍ଡରେ ଗଠିତ, ତାପଜ ପରିବାହିତା ଦକ୍ଷତା 8000W/m·K ରେ ପହଞ୍ଚିଥାଏ

● କଠିନ ମିଶ୍ରଧାତୁ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ HRC 55 କଠିନତା ସହିତ ଉଚ୍ଚ-ସିଲିକନ୍-ଆଲୁମିନିୟମ୍ (Si ≥ 18%) ସାମଗ୍ରୀର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣକୁ ପରାସ୍ତ କରିଛି।

● ତମ୍ବା-ଆଲୁମିନିୟମ୍-ଟାଇଟାନିୟମ୍ ବିବିଧ ସାମଗ୍ରୀର ମିଶ୍ରିତ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ତାପଜ ବିସ୍ତାର ଅସଙ୍ଗତିର ବିପଦକୁ ଦୂର କରେ।

● ୧୫,୦୦୦ ବର୍ଗ ମିଟର/ବର୍ଗ ମିଟର ତାପ ବିନିମୟ କ୍ଷେତ୍ର ଘନତା ସହିତ ୧୫୦×୧୫୦ mm² କ୍ଷେତ୍ର ମଧ୍ୟରେ ୧୨,୦୦୦ ମାଇକ୍ରୋ-ନିଡଲ୍ ରିବ୍ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ।

● ତ୍ରି-ପରିମାଣ ବକ୍ର ପୃଷ୍ଠ ବାଷ୍ପ ଗହ୍ବର ଭାକ୍ୟୁମ୍ ବ୍ରାଜିଂ ପୂର୍ବରୁ ସ୍ଥାପିତ ପ୍ରବାହ ଚ୍ୟାନେଲ, 500W/cm² ରୁ ଅଧିକ ତାପ ପ୍ରବାହ ବହନ କ୍ଷମତା ସହିତ

● କଟିଂ ଉପକରଣ ପାଇଁ ବୁଦ୍ଧିମାନ ପରିଧାନ ପୂର୍ବାନୁମାନ ପ୍ରଣାଳୀ 40% ଡାଉନଟାଇମ୍ ହ୍ରାସ କରେ।

● ଅନୁକୂଳିତ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପାରାମିଟର ଲାଇବ୍ରେରୀ ନୂତନ ଉତ୍ପାଦ ବିକାଶ ଚକ୍ରକୁ 60% ଛୋଟ କରିଥାଏ।

● ସାମରିକ-ଗ୍ରେଡ୍ ତରଳ କୁଲିଂ ପ୍ଲେଟ୍ -55℃ ରୁ 200℃ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର ମଧ୍ୟରେ ±3μm ଡାଇମେନ୍ସନାଲ ସ୍ଥିରତା ବଜାୟ ରଖେ।

● କ୍ଷୋଭ-ପ୍ରତିରୋଧୀ ଟାଇଟାନିୟମ୍ ମିଶ୍ରଧାତୁର ପୃଷ୍ଠରେ ସୂକ୍ଷ୍ମ-ବନାକାର ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ, ଲୁଣ ସ୍ପ୍ରେ ପରୀକ୍ଷା ଅବଧି 3000 ଘଣ୍ଟାରୁ ଅଧିକ।