ସ୍କିଭଡ୍ ଫିନ୍
ଅନୁସନ୍ଧାନ
ଘୂର୍ଣ୍ଣନ ଫିନ୍ ପ୍ଲେଟ୍ ପାଇଁ କୋର୍ ପ୍ରଯୁକ୍ତିର ବିଶ୍ଳେଷଣ
ଫିନ୍ ପ୍ଲେଟ୍ଗୁଡ଼ିକୁ ଘୂର୍ଣ୍ଣନ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଧାତୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମାଇକ୍ରୋ-କଟିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା (ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍: C1100 ଅମ୍ଳଜାନ-ମୁକ୍ତ ତମ୍ବା / 6061-T6 ଆଲୁମିନିୟମ୍ ମିଶ୍ର) ନିୟୋଜିତ ହୁଏ। ନାନୋମିଟର-ସ୍ତରୀୟ ସଠିକତା CNC ମିଲିଂ ମାଧ୍ୟମରେ, ଉଚ୍ଚ-ଘନତା ଫିନ୍ ଆରେ (40-120 ଫିନ୍ / ଇଞ୍ଚ) ସିଧାସଳଖ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ରେ କଟାଯାଏ ଯାହା ଦ୍ୱାରା ଉତ୍ତାପ ଅପଚୟ କ୍ଷେତ୍ର ଏବଂ ଗଠନାତ୍ମକ ଶକ୍ତିର ଏକ ସମନ୍ୱିତ ଅପ୍ଟିମାଇଜେସନ୍ ହାସଲ କରାଯାଇପାରିବ।
ଏହି ପ୍ରକ୍ରିୟାରେ ପ୍ରମୁଖ ସଫଳତାର ବିନ୍ଦୁଗୁଡ଼ିକ:
● ମାଇକ୍ରୋ-ସ୍ଲଟ୍ ଗଠନ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା: କଠିନ ମିଶ୍ରଧାତୁ ଉପକରଣର ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି ଦୋଳନ କଟା (ପ୍ରଶସ୍ତତା ±5 μm), ଅତ୍ୟଧିକ ପତଳା ଫିନ୍ସ ପାଇଁ 0.3mm ଘନତା ହାସଲ କରିବା (ସହନଶୀଳତା ±0.015mm)।
● ତାପଜ ବିକୃତି ଦମନ: ନିମ୍ନ-ତାପମାନ ନାଇଟ୍ରୋଜେନ୍ ଗ୍ୟାସ୍ ଜେଟ୍ ଶୀତଳୀକରଣ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ତାପମାତ୍ରା ≤ 80℃ (ΔT
● ଶୂନ୍ୟ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ ଇଣ୍ଟରଫେସ୍: ଫିନ୍ସ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ପରମାଣୁ-ସ୍ତରୀୟ ଧାତୁ ବନ୍ଧନ (ତାପଜ ପରିବାହୀତା 398 W/m·K @ Cu)
ପାଞ୍ଚଟି ବିପର୍ଯ୍ୟସ୍ତ ଲାଭ
୧. ତାପଜ ପରିବହନ ବିପ୍ଳବ
● ବନ୍ଧନ/ଦବାଇବା ପ୍ରକ୍ରିୟାର ତୁଳନା: ଇଣ୍ଟରଫେସ୍ ତାପଜ ପ୍ରତିରୋଧ 98% ( 
● ହିଟ୍ ଫ୍ଲକ୍ସ କ୍ଷମତା: ≥ 200W/cm² (ସର୍ଭର CPU/GPU ପାଇଁ ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ)
2. ଟର୍ବୁଲେନ୍ସ ଏନହାନ୍ସମେଣ୍ଟ ଡିଜାଇନ୍
● ଫିନ୍ର ଧାରରେ 25° ଅସମମିତ ବେଭେଲ୍ ଅଛି, ଏବଂ ବାଧ୍ୟତାମୂଳକ ସଂଚଳନଶୀଳ ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ଗୁଣାଙ୍କ 450 W/m²K କୁ ବୃଦ୍ଧି କରାଯାଇଛି।
● ପବନ ପ୍ରତିରୋଧ 18% ହ୍ରାସ ପାଇଛି (ସିଧା ପକ୍ଷ ତୁଳନାରେ)
୩. ତ୍ରି-ପରିମାଣୀୟ ଟୋପୋଲୋଜିକାଲ୍ ସ୍ଥାପତ୍ୟ
● ଦୁଇ-ପାର୍ଶ୍ୱ ବିଶିଷ୍ଟ ଷ୍ଟାଗର୍ଡ ଫିନ୍ ଲେଆଉଟ୍ (ବାୟୋନିକ୍ ଫ୍ଲେକ୍ସିବଲ୍ କୋର୍ ଟ୍ୟୁବ୍ ଗଠନ), ତାପ ଅପଚୟ ପରିମାଣ ଦକ୍ଷତା 6.2 ଗୁଣ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଛି।
● ପୃଷ୍ଠ ଅନୁରୂପ ପାଇଁ ସମର୍ଥନ (ସର୍ବନିମ୍ନ ବକ୍ରତା ବ୍ୟାସାର୍ଦ୍ଧ R = 2.5mm)
୪. ଅତ୍ୟନ୍ତ ପରିବେଶରେ ସ୍ଥିରତା
● ତାପଜ ସାଇକେଲିଂ ପରୀକ୍ଷା (-40℃ ରୁ 125℃) > ବିକୃତି ବିନା 5000 ସାଇକେଲ୍
● କମ୍ପନ ଅବସ୍ଥା (20G @ 500Hz) - କୌଣସି ଗଠନମୂଳକ ବିଫଳତା ଘଟିନାହିଁ।
୫ । ମାଇକ୍ରୋ-ଚ୍ୟାନେଲ ସମନ୍ୱୟ
0.5mm ମାଇକ୍ରୋ-ତରଳ କୁଲିଂ ଚ୍ୟାନେଲଗୁଡ଼ିକୁ ଏକୀକୃତ କରିପାରିବ, ଡୁଆଲ୍-ମୋଡ୍ ଗ୍ୟାସ୍-ତରଳ ତାପ ଅପଚୟ ହାସଲ କରିପାରିବ।